Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) Samsung Electronics
57796.68р.
Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) Samsung Electronics
На складе
Код товара: mz-v9p4t0cw-01
Samsung Electronics
Производитель
57796.68р.
Без НДС: 57796.68р.
₽
Покупка в кредит
от 3230.67р. в месяц
Характеристики
| DRAM буферДа | TBW твердотельного накопителя2400 | Ёмкость накопителя4000 |
| ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe) | Кэш-память1000 | МодельSamsung 990 PRO |
| НазначениеКлиентские ПК | Объём DRAM буфера4096 | Скорость последовательного чтения7450 |
Информация о доставке
Нашли дешевле?
Введите адрес доставки
Описание
• Gen4 выходит на арену с улучшением случайной производительности более чем на 55% по сравнению с 980 PRO.
• Благодаря скорости чтения и записи до 7450/6900 МБ/с² вы достигнете почти максимальной производительности PCIe® 4.0³ при любом использовании.
• Выделите себе немного места с объемом памяти от 1 ТБ до 4 ТБ.
• Сверхтонкий встроенный радиатор отводит тепло от вашего устройства, обеспечивая непрерывную игру.
Технические характеристики Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.) Samsung Electronics
| DRAM буфер | Да |
|---|---|
| TBW твердотельного накопителя | 2400 |
| Ёмкость накопителя | 4000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Кэш-память | 1000 |
| Модель | Samsung 990 PRO |
| Назначение | Клиентские ПК |
| Объём DRAM буфера | 4096 |
| Скорость последовательного чтения | 7450 |
| Скорость последовательной записи | 6900 |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) | 1400000 |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) | 1550000 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Тип памяти | V-NAND |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
Отзывы 0
-
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросы и ответы 0
-
Еще не было вопросов
