44025.80р.
Без НДС: 44025.80р.
| DRAM буферДА | PartNumber/Артикул ПроизводителяMZ-VAP2T0BW | TBW твердотельного накопителя1200 |
| БрендSAMSUNG | Вес упаковки (ед)0.12 | Вес устройства9 |
| Время наработки на отказ1500000 | Габариты упаковки (ед) ДхШхВ0.14x0.1x0.015 | Длина товара80.15 |
Технология V-NAND TLC гарантирует долговечность и стабильность работы накопителя, а показатели IOPS в 1 850 000 для чтения и 2 600 000 для записи обеспечивают мгновенный доступ к файлам и приложениям. С уровнем TBW в 1200 ТБ и DWPD 0.3, SSD Samsung 9100 PRO предлагает надежность, необходимую для интенсивного использования в течение длительного времени.
Приобретая этот SSD в нашем интернет-магазине компьютерной техники в Пятигорске, вы получаете не только высококачественный продукт, но и уверенность в его производительности. Мы обеспечиваем быструю доставку и профессиональную консультацию по всем вопросам, связанным с выбором и установкой. Улучшите свою систему с Samsung SSD 9100 PRO и ощутите разницу в скорости и эффективности работы уже сегодня!
| DRAM буфер | ДА |
|---|---|
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-VAP2T0BW |
| TBW твердотельного накопителя | 1200 |
| Бренд | SAMSUNG |
| Вес упаковки (ед) | 0.12 |
| Вес устройства | 9 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.14x0.1x0.015 |
| Длина товара | 80.15 |
| Для геймеров | ДА |
| Ёмкость накопителя | 2000 |
| Интерфейс | PCIe 5.0 x4 |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Максимальная скорость записи | 13400 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 1850000 |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 2600000 |
| Максимальная скорость чтения | 14700 |
| Модель | 9100 Pro |
| Мощность в режиме ожидания | 0.0048 |
| Назначение | для ноутбука, для ПК |
| Объём DRAM буфера | 4096 |
| Объем накопителя | 2048 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00021 |
| Особенности | расширенный температурный диапазон |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Потребляемая мощность | 8.1 |
| Пропускная способность интерфейса | 128 |
| Разъем | M.2 |
| Ресурс TBW | 1200 |
| Скорость последовательного чтения | 14700 |
| Скорость последовательной записи | 13400 |
| Совместимость с PS5 | ДА |
| Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, QD32) | 1850000 |
| Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, QD32) | 2600000 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Страна производства | Корея |
| Структура памяти NAND | 3D |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Тип памяти | V-NAND |
| Тип памяти NAND | TLC |
| Толщина товара | 2.38 |
| Ударостойкость при работе | 1500 G |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Цвет | черный |
| Ширина товара | 22.15 |
-
Нет отзывов об этом товаре.
-
Еще не было вопросов