21704.58р.
Без НДС: 21704.58р.
| PartNumber/Артикул ПроизводителяMZ-V9E2T0BW | TBW твердотельного накопителя1200 | БрендSAMSUNG |
| Вес упаковки (ед)0.13 | Вес устройства9 | Время наработки на отказ1500000 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ0.14x0.1x0.02 | Длина товара80 | Ёмкость накопителя2000 |
Использование технологии V-NAND TLC позволяет добиться высокой скорости работы и долговечности. С показателями IOPs 700 000 на чтение и 800 000 на запись, Samsung 990 EVO идеально подходит для требовательных задач, таких как видеомонтаж, игры и работа с большими объемами данных. С показателем TBW 1200 и DWPD 0.33 (при 12 месяцах), вы можете быть уверены в надежности и долговечности этого накопителя.
Покупая Samsung SSD 990 EVO в нашем интернет-магазине в Пятигорске, вы получаете не только высококачественный продукт, но и профессиональную консультацию, быструю доставку и гарантию на товар. Улучшите производительность вашего ПК или ноутбука с помощью этого мощного твердотельного накопителя. Не упустите возможность сделать свою работу и развлечения более эффективными с Samsung SSD 990 EVO!
| PartNumber/Артикул Производителя | MZ-V9E2T0BW |
|---|---|
| TBW твердотельного накопителя | 1200 |
| Бренд | SAMSUNG |
| Вес упаковки (ед) | 0.13 |
| Вес устройства | 9 |
| Время наработки на отказ | 1500000 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.14x0.1x0.02 |
| Длина товара | 80 |
| Ёмкость накопителя | 2000 |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| Ключ M.2 разъема | M |
| Кэш-память | HMB |
| Максимальная скорость записи | 4200 |
| Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) | 700000 |
| Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) | 800000 |
| Максимальная скорость чтения | 5000 |
| Модель | 990 EVO |
| Мощность в режиме ожидания | 0.06 |
| Назначение | для ноутбука, для ПК |
| Объем накопителя | 2048 |
| Объем упаковки (ед) | 0.00028 |
| Особенности | Samsung V-NAND TLC |
| Поддержка NVMe | ДА |
| Поддержка TRIM | ДА |
| Потребляемая мощность | 5.5 |
| Пропускная способность интерфейса | 64 |
| Разъем | M.2 |
| Ресурс TBW | 1200 |
| Скорость последовательного чтения | 5000 |
| Скорость последовательной записи | 4200 |
| Средняя наработка на отказ | 1500000 |
| Страна производства | Корея |
| Структура памяти NAND | 3D |
| Тип жесткого диска | SSD |
| Тип памяти | V-NAND |
| Толщина товара | 2.38 |
| Ударостойкость при хранении | 1500 G |
| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Ширина товара | 22 |
-
Нет отзывов об этом товаре.
-
Еще не было вопросов