18320.00р.
Без НДС: 18320.00р.
| CAS Latency (CL)22 | RAS to CAS Delay (tRCD)22 | Row Precharge Delay (tRP)22 |
| Количество модулей в комплекте1 | НизкопрофильнаяНет | Общий объем памяти16 |
| Объем одного модуля16 | Пропускная способностьPC4-25600 | РадиаторНет |
Технология DDR4 гарантирует низкое энергопотребление в 1.2V, что способствует более эффективной работе системы и продлевает срок службы компонентов. Модуль памяти имеет небуферизованную (UNB) архитектуру, что делает его идеальным выбором для настольных ПК и рабочих станций.
Покупая оперативную память Samsung в нашем интернет-магазине в Пятигорске, вы получаете не только высококачественный продукт от надежного производителя, но и возможность улучшить производительность своего устройства. Убедитесь, что ваш компьютер работает на полную мощность с оперативной памятью Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200.
Заказывайте сейчас и получите быструю доставку по Пятигорску!
| CAS Latency (CL) | 22 |
|---|---|
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 22 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 22 |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Низкопрофильная | Нет |
| Общий объем памяти | 16 |
| Объем одного модуля | 16 |
| Пропускная способность | PC4-25600 |
| Радиатор | Нет |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор памяти | DIMM |
| Частота | 3200 |
-
Нет отзывов об этом товаре.
-
Еще не было вопросов
3535.01р.
