| PartNumber/Артикул ПроизводителяM425R4GA3BB0-CQK | RAS to CAS Delay (tRCD)40 | Row Precharge Delay (tRP)40 |
| БрендSAMSUNG | Буферизацияunbuffered | Вес упаковки (ед)0.032 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ0.07x0.03x0.002 | Задержка (тест)40-40-40 | Количество в упаковке1 |
С объемом 32GB вы получите достаточно памяти для работы с большими объемами данных, игровыми приложениями и профессиональным программным обеспечением. Двойной ранг (dual rank) обеспечивает более эффективное использование памяти, что повышает общую производительность системы.
Модуль выполнен по стандарту PC5-38400 и работает при напряжении всего 1.1В, что делает его энергоэффективным решением для вашего устройства. 262-pin форм-фактор обеспечивает совместимость с большинством современных ноутбуков.
Приобретая память Samsung M425R4GA3BB0-CQK в нашем магазине в Пятигорске, вы получаете надежный продукт от одного из лидеров в производстве компьютерных компонентов. Убедитесь, что ваш компьютер работает на полную мощность с этой высококачественной оперативной памятью!
| PartNumber/Артикул Производителя | M425R4GA3BB0-CQK |
|---|---|
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
| Бренд | SAMSUNG |
| Буферизация | unbuffered |
| Вес упаковки (ед) | 0.032 |
| Габариты упаковки (ед) ДхШхВ | 0.07x0.03x0.002 |
| Задержка (тест) | 40-40-40 |
| Количество в упаковке | 1 |
| Количество контактов | 262-pin |
| Количество рангов (Ranks) | dual rank |
| Количество чипов | 16 |
| Латентность (CAS) | CL40 |
| Модель | M425R4GA3BB0-CQK |
| Напряжение (тест) | 1.1В |
| Обозначение памяти | SO-DIMM |
| Объем | 32768 |
| Объем одного модуля | 32 |
| Объем упаковки (ед) | 0.0000042 |
| Показатель скорости | PC5-38400 |
| Пропускная способность | 38400 |
| Скорость (тест) | 4800МГц |
| Суммарный объем памяти всего комплекта | 32 |
| Тактовая частота | 4800 |
| Тип | Оперативная память |
| Тип памяти | DDR5 |
| Тип поставки | OEM |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
-
Нет отзывов об этом товаре.
-
Еще не было вопросов
